2SJ511 ZF 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-2A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.32Ω @-1A,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.8--2.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE 4V gate drive low drain-source on resistance high forward transfer admittance low leakage current enhancement mode |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型 4V栅极驱动 低漏源电阻 高正向转移导纳 低漏电流 增强模式 |
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