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2SJ613 JT 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-6A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.053Ω @-3A,-4V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.4--1.3V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.5W |
| Description & Applications |
Features · Low ON-resistance. · Ultrahigh-speed switching. · 2.5V drive. |
| 描述与应用 |
低导通电阻。 ·超高速开关。 ·2.5V驱动器 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2SJ610 |
J610 |
TOSHIBA |
10+rohs |
TO-252/DPAK |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ612 |
JS |
SANYO |
05+ |
SOT-89/SC-62/PCP |
20 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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| 2SJ613 |
JT |
SANYO |
05+ |
SOT-89/SC-62/PCP |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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| 2SJ615 |
JV |
NEC |
05+ |
SOT-89/SC-62 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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| 2SJ612 |
JS |
SANYO |
05NOPB |
SOT-89/SC-62/PCP |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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| 2SJ610 |
J610 |
TOSHIBA |
10+ROHS |
TO-252 |
47860 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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