2SJ610 J610 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-250V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
±20 |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-2A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
1.85Ω~2.55Ω@ VGS = ??10 V, ID = ??1.0 A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.5V~-3.5V（VDS=10V，ID= 1MA） |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
20W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (π-MOSV) .
Switching Regulator, DC/DC Converter and .
Motor Drive Applications .
* Low drain-source ON-resistance: RDS (ON)= 1.85 Ω (typ.)
* High forward transfer admittance: |Yfs| = 18 S (typ.)
* Low leakage current: IDSS = ??100 μA (VDS = ??250 V)
* Enhancement mode: Vth = ??1.5 to ??3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型（π-MOSV）。
开关稳压器，DC/ DC转换器。
电机驱动应用。
*低漏源导通电阻RDS（ON）= 1.85Ω（典型值）
*较强的正向转移导纳：| YFS|=18 S（典型值）
*低漏电流IDSS=-100μA（VDS=-250 V）
*增强模式：VTH=-1.5??-3.5 V（VDS=10V，ID= 1毫安） |
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