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2SK197
 型号：  2SK197
 标记/丝印/代码/打字：  YE
 厂家：  HITACHI
 封装：  SOT-23/SC-59/MPAK
 批号：  05+
 库存数量：  200
 所属分类：  场效应管FET
  结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel
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2SK197 YE 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 18v
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -18v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 6~14ma
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage -0.3~-4v
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications ?Silicon N-Channel Junction FET
描述与应用 ?硅N沟道结型场效应管
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