|
|
|
|
|
|
|
2SK2177 K2177 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
500V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
30V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
3A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
5.8Ω/Ohm @500mA,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
2.5-3.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
10W |
| Description & Applications |
Features N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Input capacitance is small,especially,input capacitance at 0 biass is small The static Rds(on) is small The switching time is fast |
| 描述与应用 |
特性 N沟道增强模式 尤其是，输入电容小，输入在0 预偏电阻电容小 静态的Rds（on）很小 开关时间快 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
|
|
|
|
|
相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2SK217 |
ZE |
HITACHI |
05+ |
SOT-23/SC-59/MPAK |
0 |
场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
| 2SK2170 |
JA |
SANYO |
05+ |
SOT-523/SMCP |
0 |
场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
| 2SK2170 |
JA |
SANYO |
05+ |
SOT-523/SMCP |
0 |
场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
| 2SK2177 |
K2177 |
shindengen |
05+ |
TO-252/D-PAK |
2450 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 2SK217ZE |
ZE |
HITACHI |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
2123 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
|
|
|
