关键字：

查询类型：型号  厂家  标记/丝印/代码  封装 

热门查询： HD74UH4066 XC6204F R1170H351B 02DZ12-X MIC5365-2.8 2SC5555ZD-03TR S88 2SC5585H PST3620UL ST-2TA S2C MBD330DWT1 PMEG2015EJ R3130N44BC SRFIC103T1 RSZ STM80 ST-2TA103 S91 S913T
　 公司简介 经营品牌 产品搜索 Stock Inventory 联系方式 　
　 　 　 　 　 　 　

产品目录
 二极管Diodes (14264)
 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT) (10359)
 场效应管FET (3757)
 电阻Resistor (4413)
 电源管理ICPower Management IC/PMIC (7298)
 集成电路ICIntegrated Circuit（IC） (3418)
 电感Inductor/Coil/Choke (5942)
 电容Capacitor (1615)
 磁珠Ferrite Bead (1041)
 晶振滤波Crystal Oscillator and Filter (1402)
 未分类 (1992)
 保险管FUSE (978)
 晶优晶振 (171)
 测试点Test Point (86)
 标记 (454)
 连接器 (39)
 可控硅/晶闸管Triac/Thyristor,SCR (226)
 衰减器Attenuator (19)
 电阻 (5)
 晶振 (6)
 晶振滤波 (8)
 光电器件Optoelectronic (51)
 集成收发器 (1)
 编码器Switch (61)
 极管Diodes (1)
 磁珠Ferrite (2)
 测试点 (3)
 片式天线 (14)
 集成电 (1)
 场效应管 (1)
 NATIONAL (1)
 模块 (1)
 电源管理IC (1)
 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT (2)
 三极管 (1)
   
2SK2376
 型号：  2SK2376
 标记/丝印/代码/打字：  K2376
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  TO-263
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
 技术文档PDF：  在线阅读
　 　
 在线购买
(Search Stock)		 Send order to our E_mail:
saler28@mark-ic.com

2SK2376 K2376 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 45A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 13Ω/Ohm @25A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.8-2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 100W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L 2?π?MOSV) Chopper Regulator, DC?DC Converter and Motor Drive Applications Features Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator, DC?DC Converter and Motor Drive Applications 4 V gate drive Low drain?source ON resistance : RDS (ON) = 13 m? (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 40 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 60 V) Enhancement?mode
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS型（L 2-π-MOSV） 斩波稳压器，DC-DC转换器和电机驱动应用 特性 硅N沟道MOS型 斩波稳压器，DC-DC转换器和电机驱动 应用 4 V栅极驱动 低漏源导通电阻RDS（ON）= 13mΩ（典型值） 高正向转移导纳：| YFS|=40 S（典型值） 低漏电流：IDSS=100μA（最大值）（VDS=60 V） 增强型
技术文档PDF下载 在线阅读

　

 相关型号列表
型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
2SK2315 TY HITACHI 05+NOPb SOT-89/UPAK 1000 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK2315 TY HITACHI 05+NOPB2KM SOT-89/UPAK 3050 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK2316 KP SANYO 5 SOT-89/SC-62/PCP 3000 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK2316 KP SANYO 05+ SOT-89/SC-62/PCP 2200 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK2318-TL K2318 SANYO 05+ TO-252/TP-FA 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK2334STL K2334 HITACHI 05+ TO-252/D-PAK 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK2373ZE ZE RENESAS 05+ SOT-23/SC-59 5700 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK2376 K2376 TOSHIBA 05+ TO-263 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK238 K17 NEC 05+ SOT-23/SC-59 0 场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel 查看
2SK238 K15 NEC 05+ SOT-23/SC-59 1735 场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel 查看
2SK238 K14 NEC 05+ SOT-23/SC-59 2400 场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel 查看
2SK238 K16 NEC 05+ SOT-23/SC-59 0 场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel 查看
2SK238 K17 NEC 05+ SOT-23/SC-59 0 场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel 查看
2SK2394 YJ7 SANYO 05+ SOT-23/SC-59/CP 0 场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel 查看
2SK2394 YJ6 SANYO 05+ SOT-23/SC-59/CP 0 场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel 查看
2SK2394 YJ6 SANYO 05+ SOT-23/SC-59/CP 0 场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel 查看
2SK2394 YJ7 SANYO 05+ SOT-23/SC-59/CP 0 场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel 查看
2SK2399 K2399 TOSHIBA 10+ROHS TO-252/D-PAK 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK2399 K2399 TOSHIBA 05+ TO-252/D-PAK 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK23800R EBR Panasonic 05+ SOT-523 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看

　
　 公司简介 经营品牌 产品搜索 Stock Inventory 联系方式 　
　 　 　 　 　 　 　
　 　 　 　 　 　 　
深圳市新亚洲电子市场茂业电子商行
公司地址: 深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C035房 电话: 0755-88869068（4线）
企业QQ: 800036813 点击这里给我发消息 传真: 0755-61306100
电子邮箱:800036813@qq.com  


Copyright (c) 1995-2012  All rights reserved.   粤ICP备12037407号


营业执照