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2SK662
 型号：  2SK662
 标记/丝印/代码/打字：  10P
 厂家：  Panasonic
 封装：  SOT-323/SC70
 批号：  05+
 库存数量：  30
 所属分类：  场效应管FET
  结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel
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2SK662 10P 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30v
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -30v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 0.5~3ma
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage -0.1~-1.5v
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications ?Silicon N-Channel Junction FET ?For low-frequency amplification ?High mutual conductance gm ?Low noise type
描述与应用 ?硅N沟道结型场效应管 ?对于低频放大 ?高互导GM ?低噪音型
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