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2SK664
 型号：  2SK664
 标记/丝印/代码/打字：  3N
 厂家：  Panasonic
 封装：  SOT-323/SC-70
 批号：  05+
 库存数量：  9000
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2SK664 3N 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current 100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 50Ω/Ohm @20mA,5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.5-3.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications Silicon MOS FETs (Small Signal) Silicon N-Channel MOS FET For switching Features Silicon N-Channel MOS FET For switching High-speed switching lS-mini type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing
描述与应用 硅MOS场效应管（小信号） 硅N沟道MOS FET开关 特性 硅N沟道MOS FET 用于开关 高速开关 LS-迷你型包装，使瘦身套和通过自动插入磁带/盒包装
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