BFG193 BFG193 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
12V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
80mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
6GHz~8GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
70~140 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
600mW/0.6W |
| Description & Applications |
NPN Silicon RF Transistor* ? For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz ? For linear broadband amplifiers ? fT = 8 GHz, F = 1 dB at 900 MHz ? Pb-free (RoHS compliant) package1) ? Qualified according AEC Q101 * Short term description |
| 描述与应用 |
NPN硅RF晶体管* ?低噪声，高增益放大器高达2 GHz ?对于线性宽带放大器 ?英尺= 8 GHz时，F = 1分贝在900 MHz ?无铅（符合RoHS）包1） ?符合AEC Q101 *短期描述 |
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