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BFR106
 型号:  BFR106
 标记/丝印/代码/打字:  R7W
 厂家:  NXP/PHILIPS
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  05NOPB
 库存数量:  0
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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BFR106 R7W 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 15V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA/0.1A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 5GHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 80
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications NPN 5 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a plastic SOT23 envelope. It is primarily intended for low noise, general RF applications.
描述与应用 5 GHz的宽带晶体管NPN 说明 硅NPN平面外延晶体管在一个塑料SOT23信封。它的主要目的是为噪音低,一般的RF应用。
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
BFR106 R7W NXP/PHILIPS 05NOPB SOT-23/SC-59 0 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-NPN 查看
BFR180 RD SIEMENS 05+ SOT-23/SC-59 0 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-NPN 查看
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BFR181 E6327 RFs INFINEON 13+ROHS18KM SOT-23/SC-59 20400 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-NPN 查看
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BFR193W RC INFINEON 01+ SOT-323/SC-70 0 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-NPN 查看

 

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