BFR92AW P2 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
15V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
25mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
5GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
90 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
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| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
300mW/0.3W |
| Description & Applications |
NPN 5 GHz wideband transistor FEATURES ? High power gain ? Gold metallization ensures excellent reliability ? SOT323 (S-mini) package. APPLICATIONS It is designed for use in RF amplifiers, mixers and oscillators with signal frequencies up to 1 GHz. |
| 描述与应用 |
5 GHz的宽带晶体管NPN 特点 ?高功率增益 ?黄金金属确保卓越的可靠性 ?SOT323（S-迷你）封装。 应用 它是专为在RF放大器中使用 混频器和振荡器信号 高达1 GHz的频率。 |
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