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BSH201 WJ6 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-0.3A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
2.1Ω @-160mA,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
417mW/0.417W |
| Description & Applications |
Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device |
| 描述与应用 |
简单的驱动要求 小封装 表面贴装设备 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| BSH201 |
WJ6 |
NXP/PHILIPS |
07NOPB |
SOT-23/SC-59 |
188 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| BSH202 |
PJ7 |
NXP/PHILIPS |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
80 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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| BSH203 |
J8 |
NXP/PHILIPS |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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| BSH205 |
JO |
NXP/PHILIPS |
04+rohs |
SOT-23/SC-59 |
0 |
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| BSH205 |
JO |
NXP/PHILIPS |
04+ROHS |
SOT-23/SC-59 |
3000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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| BSH207 |
A1 |
NXP/PHILIPS |
04+ |
SOT-163/SOT23-6 |
18000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| BSH207 |
A1 |
NXP/PHILIPS |
05+NOPB |
SOT-163/SOT23-6 |
200 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| BSH202 |
WJ7 |
NXP/PHILIPS |
1028+ROHS |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| BSH203 |
J8 |
NXP/PHILIPS |
13+rohs |
SOT-23/SC-59 |
3000 |
场效应管FET |
查看 |
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