|
|
|
|
|
|
BSH205 JO 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-12V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
-0.75A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.18Ω @-430mA,-4.5V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.4V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
417mW/0.417W |
Description & Applications |
? Low threshold voltage VDS = -30 V ? Fast switching ? Logic level compatible ID = -0.52 A ? Subminiature surface mountpackage |
描述与应用 |
?低阈值电压VDS=-30 V ?快速开关 ?逻辑电平兼容ID=-0.52 ?表面mountpackage微型 |
技术文档PDF下载 |
在线阅读 |
|
|
|
|
相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
BSH201 |
WJ6 |
NXP/PHILIPS |
07NOPB |
SOT-23/SC-59 |
188 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
BSH202 |
PJ7 |
NXP/PHILIPS |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
80 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
BSH203 |
J8 |
NXP/PHILIPS |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
BSH205 |
JO |
NXP/PHILIPS |
04+rohs |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
BSH205 |
JO |
NXP/PHILIPS |
04+ROHS |
SOT-23/SC-59 |
3000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
BSH207 |
A1 |
NXP/PHILIPS |
04+ |
SOT-163/SOT23-6 |
18000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
BSH207 |
A1 |
NXP/PHILIPS |
05+NOPB |
SOT-163/SOT23-6 |
200 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
BSH202 |
WJ7 |
NXP/PHILIPS |
1028+ROHS |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
BSH203 |
J8 |
NXP/PHILIPS |
13+rohs |
SOT-23/SC-59 |
3000 |
场效应管FET |
查看 |
|
|
|