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BSP122 BSP122 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
200V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
550mA/0.55A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.0025Ω/Ohm @750mA,10v |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.4-2V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.5W |
| Description & Applications |
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor Direct interface to C-MOS, TTL,etc. ? High-speed switching ? No secondary breakdown. |
| 描述与应用 |
N沟道增强模式 垂直D-MOS晶体管 直接接口的C-MOS，TTL，等等 ?高速开关 ?无二次击穿 |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| BSP122 |
BSP122 |
NXP/PHILIPS |
06NOPB |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
1950 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BSP125 |
BSP125 |
INFINEON |
05+ |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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| BSP126 |
BSP126 |
NXP/PHILIPS |
10+rohs |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BSP126 |
BSP126 |
NXP/PHILIPS |
10+rohs1km |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
1140 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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| BSP129 |
BSP129 |
SEMTECH |
06NOPB |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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