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BSP129 BSP129 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
240V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
350mA/0.35A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.006Ω/Ohm @350mA,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-2.4--1 |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.8W |
| Description & Applications |
? N-channel ? Depletion mode ? dv /dt rated |
| 描述与应用 |
?N沟道 ?耗尽模式 ?dv / dt的额定 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| BSP122 |
BSP122 |
NXP/PHILIPS |
06NOPB |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
1950 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BSP125 |
BSP125 |
INFINEON |
05+ |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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| BSP126 |
BSP126 |
NXP/PHILIPS |
10+rohs |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BSP126 |
BSP126 |
NXP/PHILIPS |
10+rohs1km |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
1140 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BSP129 |
BSP129 |
SEMTECH |
06NOPB |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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