|
|
|
|
|
|
|
BST82 2 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
100V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
180mA/0.18A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
|
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
|
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
830mW/0.83W |
| Description & Applications |
TrenchMOS? technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount package. |
| 描述与应用 |
开关速度非常快 逻辑电平兼容 超小型表面贴装封装 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
|
|
|
|
|
相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| BST82 |
2 |
NXP/PHILIPS |
04+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BST82 |
2 |
NXP/PHILIPS |
05+NOPB500 |
SOT-23/SC-59 |
885 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BST84 |
KN |
NXP/PHILIPS |
05+ |
SOT-89/SC-62 |
55900 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BST84 |
KN |
NXP/PHILIPS |
05+ |
SOT-89/SC-62 |
11000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BST80 |
KM |
PHILIPS |
05+ |
SOT-89 |
730 |
|
查看 |
|
|
|
