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BST84 KN 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
200V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
250mA/0.25A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
6Ω/Ohm @250mA,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.8-2.8V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor ? Direct interface to C-MOS, TTL,etc. ? High-speed switching ? No second breakdown |
| 描述与应用 |
N沟道增强模式垂直D-MOS晶体管 ?直接连接到C-MOS，TTL等 ?高速开关 ?无二次击穿 |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| BST82 |
2 |
NXP/PHILIPS |
04+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BST82 |
2 |
NXP/PHILIPS |
05+NOPB500 |
SOT-23/SC-59 |
885 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BST84 |
KN |
NXP/PHILIPS |
05+ |
SOT-89/SC-62 |
55900 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BST84 |
KN |
NXP/PHILIPS |
05+ |
SOT-89/SC-62 |
11000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BST80 |
KM |
PHILIPS |
05+ |
SOT-89 |
730 |
|
查看 |
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