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IRFR210T
 型号:  IRFR210T
 标记/丝印/代码/打字:  FR210
 厂家:  IR
 封装:  TO-252/D-PAK
 批号:  05+
 库存数量:  300
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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IRFR210T FR210 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 200V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current 2.7A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 1.5Ω/Ohm @1350mA,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 2.0-4.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 2.5W
Description & Applications DESCRIPTION Third generation power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU, SiHFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surface mount applications. ? 2.7A, 200V, RDS(on) = 1.5? @VGS = 10 V ? Low gate charge ( typical 7.2 nC) ? Low Crss ( typical 6.8 pF) ? Fast switching ? 100% avalanche tested ? Improved dv/dt capability
描述与应用 说明 Vishay的第三代功率MOSFET提供 设计师与快速切换的最佳组合, 坚固耐用的设备设计,低导通电阻和成本效益。 该DPAK是专为表面安装使用蒸汽相,红外线,或波峰焊技术。直 导致通孔版本(IRFU,赐福系列)安装应用程序。功耗水平,直至1.5 W 典型的表面贴装应用中是可能的。 ?2.7A,200V,RDS上) =1.5Ω@ VGS= 10 V ?低栅极电荷(典型7.2nC) ?低Crss(典型6.8 pF) ?快速开关 ?100%雪崩测试 ?改进的dv / dt能力
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