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KST56
 型号：  KST56
 标记/丝印/代码/打字：  2G
 厂家：  SAMSUNG
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  00+
 库存数量：  800
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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KST56 2G 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -80V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) ?40V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) ?500mA/-0.5A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 50MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 50
管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage -250mV/-0.25V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 350mW/0.35W
Description & Applications PNP Epitaxial Silicon Transistor Driver Transistor Complement to KST06
描述与应用 PNP外延硅晶体管 驱动晶体管 补充型KST06
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