MTM861240L DM 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-2A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.1Ω @-1A,-4V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.4--1.3V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
540mW/0.54W |
| Description & Applications |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device |
| 描述与应用 |
P沟道增强模式 功率MOSFET 简单的驱动要求 小封装 表面贴装设备 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
