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NDT451AN
 型号:  NDT451AN
 标记/丝印/代码/打字:  451A
 厂家:  FAIRCHILD
 封装:  SOT-223/SC-73/TO261-4
 批号:  05+
 库存数量:  2500
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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NDT451AN 451A 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 7.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.05Ω/Ohm 6A,4.5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1-3V
耗散功率Pd Power Dissipation 3W
Description & Applications N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Power SOT N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as DC motor control and DC/DC conversion where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed. High density cell design for extremely low RDS(ON) High power and current handling capability in a widely used surface mount package
描述与应用 N沟道增强型场效应晶体管 概述 电源SOT N沟道增强模式电源领域 场效应晶体管都采用飞兆半导体 专有的,高密度,DMOS技术。这很 高密度的过程特别是针对减少 通态电阻和提供优越的开关 性能。这些器件特别适用于低 直流电动机的控制和DC / DC电压应用,如 转换快速开关,低线的功率损耗, 以及抗瞬变是必要的。 高密度电池设计极低的RDS(ON) 一种广泛使用的高功率和电流处理能力 表面贴装封装
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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NDT3055 3055 FAIRCHILD 06+PB SOT-223/SC-73/TO261-4 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
NDT451AN 451A FAIRCHILD 01+ SOT-223/SC-73/TO261-4 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
NDT451AN 451A FAIRCHILD 05+ SOT-223/SC-73/TO261-4 2500 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
NDT452AP 452A FAIRCHILD 05+ SOT-223 0 场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel 查看
NDT453N 453 FAIRCHILD 05+ SOT-223/SC-73/TO261-4 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
NDT80N02T4 ON 05+ TO-252/D-PAK 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
NDT014L 014L FAIRCHILD 05+ SOT-223 450 场效应管FET 查看

 

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