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NDT452AP 452A 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-5A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.052Ω @-5A,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1--2.8V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
300mW/0.3W |
| Description & Applications |
High density cell design for extremely low RDS(ON) High power and current handling capability in a widely used surface mount package. |
| 描述与应用 |
高密度电池设计极低的RDS（ON） 一种广泛使用的高功率和电流处理能力 表面贴装封装 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| NDT014L |
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FAIRCHILD |
05+ |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| NDT3055 |
3055 |
FAIRCHILD |
06+PB |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| NDT451AN |
451A |
FAIRCHILD |
01+ |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| NDT451AN |
451A |
FAIRCHILD |
05+ |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
2500 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| NDT452AP |
452A |
FAIRCHILD |
05+ |
SOT-223 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| NDT453N |
453 |
FAIRCHILD |
05+ |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| NDT80N02T4 |
|
ON |
05+ |
TO-252/D-PAK |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| NDT014L |
014L |
FAIRCHILD |
05+ |
SOT-223 |
450 |
场效应管FET |
查看 |
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