PMV117EN WM1 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
2.5A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
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| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
830mW/0.83W |
| Description & Applications |
μTrenchMOS? enhanced logic level FET General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS? technology Logic level threshold Very fast switching Low threshold voltage Surface-mounted package |
| 描述与应用 |
μTrenchMOS?增强逻辑电平FET 一般说明 逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）在一个塑料 包装使用TrenchMOS?技术 逻辑电平阈值 开关速度非常快 低阈值电压 表面贴装封装 |
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