|
|
|
|
|
|
|
PMV31XN WM4 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
5.9A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
|
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
|
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
2W |
| Description & Applications |
TrenchMOS? technology Very fast switching Low threshold voltage Surface mount package |
| 描述与应用 |
开关速度非常快 低阈值电压 表面贴装型封装 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
|
|
|
|
|
相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| PMV117EN |
WM1 |
NXP/PHILIPS |
07NOPB |
SOT-23/SC-59 |
1800 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| PMV31XN |
WM4 |
NXP/PHILIPS |
06NOPB |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| PMV65XP |
WM9 |
NXP/PHILIPS |
05NOPB |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| PMV65XP |
WM9 |
NXP/PHILIPS |
05+NOPB150 |
SOT-23/SC-59 |
200 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| PMV45EN |
W4N |
NXP/PHILIPS |
0749NOPB |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| PMV40UN |
W35 |
NXP/PHILIPS |
09NOPB |
SOT-23/SC-59 |
400 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| PMV56XN |
WM5 |
NXP/PHILIPS |
1036NOPB |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| PMV45EN |
W4N |
NXP/PHILIPS |
10+ROHS |
SOT-23/SC-59 |
700 |
|
查看 |
|
|
|
