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SI2315BDS-T1
 型号：  SI2315BDS-T1
 标记/丝印/代码/打字：  M5WGB
 厂家：  VISHAY
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  640
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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SI2315BDS-T1 M5WGB 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -12V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current -3.85A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.040Ω @-3.85A,-4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.45V-0.90V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.19W
Description & Applications P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
描述与应用 P沟道1.8-V（G-S）的MOSFET
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