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SSM6N16FE
 型号：  SSM6N16FE
 标记/丝印/代码/打字：  DS
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-563/ES6
 批号：  10+ROHS136K
 库存数量：  232050
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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SSM6N16FE DS 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V
最大漏极电流Id Drain Current 100mA/0.1A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 3?@ VGS = 4V, ID = 10mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.6~1.1V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ●High Speed Switching Applications ●Analog Switching Applications ●Suitable for high-density mounting due to compact package ●Low on resistance: Ron = 3.0 Ω (max) (@VGS = 4 V) : Ron = 4.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) : Ron = 15 Ω (max) (@VGS = 1.5 V)
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 ●高速开关应用 ●模拟开关应用 ●适用于高密度安装由于紧凑的封装 ●低导通电阻RON =3.0Ω（最大值）（@ VGS=4 V） RON =4.0Ω（最大值）（@ VGS= 2.5 V） ：RON=15Ω（最大）（@ VGS=1.5 V）
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