TPCF8102 F3B 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-6A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
30m?@ VGS = -4.5V, ID = 3A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.5~-1.2V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
2.5W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III) Notebook PC Applications Portable Equipment Applications ? Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 24 mΩ (typ.) ? High forward transfer admittance: |Yfs| = 14 S (typ.) ? Low leakage current: IDSS = ?10 μA (max) (VDS = ?20 V) ? Enhancement mode: Vth = ?0.5 to ?1.2 V (VDS = ?10 V, ID = ?200 μA) |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型（U-MOS III） 笔记本电脑应用 便携式设备的应用 ?低漏源导通电阻RDS（ON）= 24mΩ（典型值） ?高正向转移导纳：| YFS|=14 S（典型值） ?低漏电流：IDSS= -10μA（最大）（VDS=-20 V） ?增强模式：Vth =-0.5?-1.2 V （VDS= -10 V，ID= -200μA） |
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