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UPA841TC
 型号:  UPA841TC
 标记/丝印/代码/打字:  2A
 厂家:  NEC
 封装:  SOT-563
 批号:  05+
 库存数量:  600
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    NPN+NPN
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UPA841TC 2A 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 9V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 6V/5.5V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 30mA/100mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 12000MHz/6000MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 75~150/100~160
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation 230mW
Description & Applications Features ? NPN SILICON RF TRANSISTOR (WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS) IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINI MOLD ? Low voltage operation ? 2 different built-in transistors (2SC5435, 2SC5600) Q1: High gain transistor suited for buffer applications fT = 12.0 GHz TYP., ?S21e?2 = 8.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz Q2: Low phase distortion transistor suited for OSC applications fT = 5.0 GHz TYP., ?S21e?2 = 4.0 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz ? Flat-lead 6-pin thin-type ultra super minimold package
描述与应用 特点 ?NPN硅RF晶体管(带2个不同的元素)在扁平引线6-PIN薄型超超迷你模具 ?低电压工作 ?2个不同的内置晶体管(2SC5435,2SC5600) Q1:适合高增益晶体管缓冲应用FT =12.0 GHz的TYP?S21E?2= 8.5 dB典型值。 @ VCE= 3 V,IC=10 mA时,F =2吉赫 Q2:低相位失真晶体管适合OSC的应用FT =5.0 GHz的TYP。?S21E?2= 4.0 dB(典型值)。 @ VCE= 1 V,IC= 5毫安,F =2吉赫 ?扁平引线6针瘦型超超级迷你模具包
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
UPA840TC-T1 89 NEC 05+ SOT-563 0 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-复合三极管Complex Bipolar Transistor-NPN+NPN 查看
UPA841TC 2A NEC 05+ SOT-563 600 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-复合三极管Complex Bipolar Transistor-NPN+NPN 查看
UPA841TD Q NEC 05+ SOT-763 10200 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-复合三极管Complex Bipolar Transistor-NPN+NPN 查看
UPA842TC 2B NEC 05+ SOT-563 2480 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-复合三极管Complex Bipolar Transistor-NPN+NPN 查看
UPA846TC 2F NEC 05+ SOT-563 1200 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-复合三极管Complex Bipolar Transistor-NPN+NPN 查看
UPA840TC-T1 89 NEC 05+ SOT-563 3000 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT) 查看

 

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