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XP162A11C0PR
 型号：  XP162A11C0PR
 标记/丝印/代码/打字：  2112
 厂家：  TOREX
 封装：  SOT-89/SC-62
 批号：  09
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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XP162A11C0PR 2112 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -2.5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.11Ω @1.5A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -1.0--2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 2W
Description & Applications FEATURES Low On-State Resistance : Rds(on) = 0.15Ω@ Vgs = -10V Rds(on) = 0.28Ω@ Vgs = -4.5V Ultra High-Speed Switching Driving Voltage : -4.5V Gate Protect Diode Built-in P-Channel Power MOSFET DMOS Structure Small Package
描述与应用 低导通电阻：RDS（ON）=0.15Ω@ VGS=-10V 的Rds（on）=0.28Ω@ VGS=-4.5V 超高速开关 驱动电压：-4.5V 内置栅极保护二极管 P沟道功率MOSFET DMOS结构式 小包装
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