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XP162A12A6PR
 型号：  XP162A12A6PR
 标记/丝印/代码/打字：  21
 厂家：  TOREX
 封装：  SOT-89/SC-62
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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XP162A12A6PR 21 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current -2.5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.13Ω @1-1.5A,-4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.5--1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation 2W
Description & Applications Low On-State Resistance : Rds(on) = 0.17Ω@ Vgs = -4.5V Rds(on) = 0.3Ω@ Vgs = -2.5V Ultra High-Speed Switching Dribing Voltage : -2.5V Gate Protect Diode Built-in P-Channel Power MOSFET DMOS Structure Small Package
描述与应用 低导通电阻：RDS（ON）=0.17Ω@ VGS=-4.5V RDS（ON）=0.3Ω@ VGS=-2.5V 超高速开关 Dribing电压：-2.5V 内置栅极保护二极管 P沟道功率MOSFET DMOS结构式 小包装
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