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ZXM64N035GTA
 型号：  ZXM64N035GTA
 标记/丝印/代码/打字：  
 厂家：  ZETEX
 封装：  SOT-223/SC-73/TO261-4
 批号：  02+
 库存数量：  1400
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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ZXM64N035GTA  的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 35V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 6.7A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation 2W
Description & Applications 35V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS = 35V: RDS(on) = 0.050 : ID = 6.7A DESCRIPTION This new generation of high cell density planar MOSFETs from Zetex utilises a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES ? Low on-resistance ? Fast switching speed ? Low threshold ? Low gate drive ? SOT23 pa
描述与应用 35V N-沟道增强型MOSFET 摘要 V（BR）DSS =35V RDS（ON）= 0.050：ID=6.7A 说明 这种新一代的高密度平面MOSFET由Zetex采用了独特??的 结构，结合低的导通电阻的开关速度快的好处。这使得他们的高效率，低电压，电源管理应用的理想选择。 ?低导通电阻 ?开关速度快 ?低门槛 ?低栅极驱动器 ?SOT23封装
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 相关型号列表
型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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