SI2307BDS L7 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
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| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
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| 最大漏极电流Id
Drain Current |
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| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.061Ω @-3.2A,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
2.1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.25W |
| Description & Applications |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET P-Channel Vertical DMOS Macro Model (Subcircuit Model) Level 3 MOS |
| 描述与应用 |
P沟道30-V（D-S）的MOSFET P沟道垂直DMOS 宏模型（子电路模型） 级别3 MOS |
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