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SI2307DS-T1-E3 A7 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-3A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.064Ω @-3A,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.25W |
| Description & Applications |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| 描述与应用 |
P沟道30-V（D-S）的MOSFET |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| SI2307DS |
A7 |
VISHAY |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SI2307DS |
R7 |
VISHAY |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
700 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SI2307DS |
A7 |
VISHAY |
07+NOPB1500 |
SOT-23/SC-59 |
1588 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SI2307BDS |
L7 |
VISHAY |
06+NOPB |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SI2307BDS |
L7 |
VISHAY |
06+NOPB |
SOT-23/SC-59 |
200 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SI2307DS-T1-E3 |
A7 |
VISHAY |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
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