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2SJ508
 型号：  2SJ508
 标记/丝印/代码/打字：  ZE
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-89/SC-62
 批号：  07NOPB200
 库存数量：  400
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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2SJ508 ZE 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -100V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -1A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 1.9Ω @-500mA,-10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.8--2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE 4V gate drive low drain-source on resistance high forward transfer admittance low leakage current enhancement mode
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型 4V栅极驱动 低漏源电阻 高正向转移导纳 低漏电流 增强模式
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