BCP56-10 BCP56 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
100V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
80V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
130MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
63~160 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
500mV/0.5V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
1.33W |
| Description & Applications |
NPN medium power transistor FEATURES ? High current (max. 1 A) ? Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS ? Switching. |
| 描述与应用 |
NPN中等功率晶体管 特点 ?高电流（最大1 A） ?低电压（最大80 V）。 应用 ?开关 |
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