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RTQ025P02
 型号：  RTQ025P02
 标记/丝印/代码/打字：  TQ
 厂家：  ROHM
 封装：  SOT-163/SOT23-6/TSMT6
 批号：  09NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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RTQ025P02 TQ 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current -2.5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.072Ω @-2.5A,-4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.7--2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.25W
Description & Applications Features Low on-resistance. (570m? at 2.5V) High power package. High speed switching. Low voltage drive. (2.5V)
描述与应用 低导通电阻。 （570mΩ在2.5V） 高功率封装。 高速开关。 低电压驱动
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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