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2SD1819GOL
 型号：  2SD1819GOL
 标记/丝印/代码/打字：  Z
 厂家：  Panasonic
 封装：  SOT-323/SC-70
 批号：  08+ROHS
 库存数量：  2000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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2SD1819GOL Z 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 30V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 25V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA/0.1A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 150MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 300mV/0.3V
耗散功率Pc Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications *Silicon NPN epitaxial planer type *For general amplification *Complementary to 2SB1219 and 2SB1219A Features *l Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) *large DC current gain hFE
描述与应用 * NPN硅外延平面型 *对于一般的放大 *互补2SB12192SB1219A 特点 * l低集电极到发射极饱和电压VCE（SAT） *大直流电流增益hFE
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