BC856U 3Ds 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-80V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-65V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-100mA |
| Q1基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
100MHz |
| Q1基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
200~475 |
| Q1电阻比(R1/R2)
Q1 Resistance Ratio |
-250mV |
| Q2基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
250mW |
| Q2基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
Features ? PNP Silicon AF Transistor Array ? For AF input stages and driver applications ? High current gain ? Low collector-emitter saturation voltage ? Two ( galvanic) internal isolated Transistors with good matching in one package |
| Q2电阻比(R1/R2)
Q2 Resistance Ratio |
特点 ?AF PNP硅晶体管阵列 ?对于AF输入级和驱动器应用 ?高电流增益 ?低集电极 - 发射极饱和电压 ?两个（电流）的内部分离晶体管在一个封装中具有良好的匹配 |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
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| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
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| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
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| Description & Applications |
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| 描述与应用 |
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