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2SA1836
 型号：  2SA1836
 标记/丝印/代码/打字：  M7
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-523/SC-75
 批号：  05+
 库存数量：  1800
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  PNP
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2SA1836 M7 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) ?60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) ?50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) ?100mA/-0.1A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 180MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 300~600
管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage -180mV/-0.18V
耗散功率Pc PoWer Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES ? High DC current gain: hFE2 = 200 TYP. ? High voltage: VCEO = ?50 V ? Can be automatically mounted
描述与应用 PNP硅外延晶体管 特点 ?高直流电流增益：HFE2=200 TYP。 ?高电压：VCEO=-50 V ?可自动安装
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