2SJ168 KF 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-200mA/-0.2A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
1.3Ω @-50mA,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-2--3.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE HIGH SPEED SWITHCING APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS INTERFACE APPLICATIONS Excellent Switching Time High Forward Transfer Admittance Low On Resistance Enhancement-Mode Complementary to 2SK1062 |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型 高速开关应用 模拟开关应用 接口应用 出色的开关时间 高正向转移导纳 低导通电阻 增强型 对管是2SK1062 |
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