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NTGS4111PT1G
 型号:  NTGS4111PT1G
 标记/丝印/代码/打字:  TG
 厂家:  ON
 封装:  SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
 批号:  05+
 库存数量:  40
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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NTGS4111PT1G TG 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage -20V
最大漏极电流Id Drain Current -3.7A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 110m?@ VGS = -4.5V, ID = -2.7A
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -1~-3V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.25W
Description & Applications Power MOSFET Features ? Leading ?30 V Trench Process for Low RDS(on) ? Low Profile Package Suitable for Portable Applications ? Surface Mount TSOP?6 Package Saves Board Space ? Improved Efficiency for Battery Applications ? Pb?Free Package is Available Applications ? Battery Management and Switching ? Load Switching ? Battery Protection
描述与应用 功率MOSFET 特点 ?领导-30 V沟道工艺的低RDS(ON) ?薄型封装,适合于便携式应用 ?表面贴装TSOP-6封装节省电路板空间 ?电池应用的效率的改进 ?无铅包装是可用 应用 ?电池管理和交换 ?负载开关 ?电池保护
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