NTHS5404T1 A2X 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
5.2A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
45m?@ VGS =2.5V, ID =4.3A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.6V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.3W |
| Description & Applications |
Power MOSFET N?Channel Chip FET Features ? Low RDS(on) for Higher Efficiency ? Logic Level Gate Drive ? Miniature Chip FET Surface Mount Package Saves Board Space ? Pb?Free Package is Available Applications ? Power Management in Portable and Battery?Powered Products; i.e.,Cellular and Cordless Telephones and PCMCIA Cards |
| 描述与应用 |
功率MOSFET N沟道芯片FET 特点 ?低RDS（ON），以获得更高效率 ?逻辑电平栅极驱动器 ?微型芯片FET表面贴装封装节省电路板空间 ?无铅包装是可用 应用 ?电源管理在便携式和电池供电的产品，也就是说，蜂窝电话和无绳电话和PCMCIA卡 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
