PBSS2515F 2A 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
15V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
15V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
500mA/0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
420MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
150 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
25mV~150mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
250mW/0.25W |
| Description & Applications |
15 V low VCEsat NPN transistor FEATURES ? Low collector-emitter saturation voltage ? High current capabilities ? Improved thermal behaviour due to flat leads. APPLICATIONS ? General purpose switching and muting ? Low frequency driver circuits ? LCD backlighting ? Audio frequency general purpose amplifier applications ? Battery driven equipment (mobile phones, video cameras and hand-held devices). DESCRIPTION ? NPN low VCEsat transistor in a SC-89 (SOT490) plastic package |
| 描述与应用 |
15 V低VCEsat NPN晶体管 特点 ??低集电极 - 发射极饱和电压 ??高电流能力 ??改进的热行为由于平坦的线索。 应用 ??通用开关和静音 ??低频驱动电路 ??LCD背光 ??音频通用放大器应用 ??电池驱动设备（移动电话，视频 ?相机和手持设备）。 说明 ??NPN低VCEsat ?在SC-89（SOT490）塑料包装晶体管 |
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