PBSS2540F 2C 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
500mA/0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
450MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
50mV~200mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
250mW/0.25W |
| Description & Applications |
40 V low VCEsat NPN transistor FEATURES ? Low collector-emitter saturation voltage ? High current capability ? Improved thermal behaviour due to flat leads ? Enhanced performance over SOT23 general purpose transistors. APPLICATIONS ? General purpose switching and muting ? Low frequency driver circuits ? Audio frequency general purpose amplifier applications ? Battery driven equipment (mobile phones, video cameras, hand-held devices). DESCRIPTION NPN low VCEsat transistor in a SC-89 (SOT490) plasticpackage. |
| 描述与应用 |
40 V低VCEsat NPN晶体管 特点 ?低集电极 - 发射极饱和电压 ?高电流能力 ?改进的热行为由于平坦的线索， ?增强的性能超过SOT23通用 晶体管。 应用 ?通用开关和静音 ?低频驱动电路 ?音频通用放大器应用 ?电池驱动设备（移动电话，视频 相机，手持设备）。 说明 NPN低VCEsat ? 在SC-89（SOT490）塑料晶体管包。 |
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