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PHD101NQ03LT 101NQ 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
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| 最大漏极电流Id
Drain Current |
75A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
4.5Ω/Ohm @25A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-2.0-2.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
166W |
| Description & Applications |
N-channel TrenchMOS? logic level FET |
| 描述与应用 |
N沟道的TrenchMOS?逻辑电平FET |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| PHD101NQ03LT |
101NQ |
NXP |
05+ |
TO-252/D-PAK |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| PHD3055E |
PHD3055E |
NXP/PHILIPS |
05+ |
TO-252/D-PAK |
2500 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| PHD45N03LTA |
PHD45N03 |
NXP/PHILIPS |
05NOPB |
TO-252/D-PAK |
1650 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| PHD55N03LTA |
PHD55N03LTA |
NXP/PHILIPS |
03+ |
TO-252/D-PAK |
1490 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| PHD66NQ03LT |
PHD66NQ03L |
NXP/PHILIPS |
05+ |
SOT-428/TO-252/D-PAK |
3200 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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