PHD55N03LTA PHD55N03LTA 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
25V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
|
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
4A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
|
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
|
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
65W |
| Description & Applications |
TrenchMOS? Logic Level FET N-channel logic level ?eld-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS? technology. Low on-state resistance Fast switching. |
| 描述与应用 |
TrenchMOS?逻辑电平FET N沟道逻辑电平场效应功率晶体管在一个塑料包装使用 的TrenchMOS?技术。 低通态电阻 快速切换 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
