PHD3055E PHD3055E 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
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| 最大漏极电流Id
Drain Current |
10.3A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.05Ω/Ohm @10300mA，10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
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| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
3.3W |
| Description & Applications |
TrenchMOS? standard level FET N-channel standard level ?eld-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS?1 technology Fast switching Low on-state resistance. |
| 描述与应用 |
TrenchMOS标准水平FET N沟道标准水平场效应功率晶体管在一个塑料包装使用 的TrenchMOS?1技术 快速开关 低通态电阻 |
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