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PMBF170
 型号:  PMBF170
 标记/丝印/代码/打字:  KX
 厂家:  NXP/PHILIPS
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  05+NOPB4K
 库存数量:  8500
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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PMBF170 KX 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 250mA/0.25A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 2.5Ω/Ohm 2.2A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.8-3.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 300mW/0.3W
Description & Applications N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor DESCRIPTION N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor in a SOT23 envelope. Designed for use as a Surface Mounted Device (SMD) in thin and thick-film circuits with applications in relay, high-speed andbline transformer drivers. FEATURES ? Direct interface to C-MOS,TTL,etc. ? High-speed switching ? No secondary breakdown
描述与应用 N沟道增强模式垂直D-MOS晶体管 说明 N沟道增强型垂直D-MOS晶体管在SOT23封装信封。作为一个设计用于使用 表面贴装器件(SMD)的薄和厚的薄膜电路与继电器,高速andbline变压器驱动器的应用 ?直接连接到C-MOS,TTL等 ?高速开关 ?无二次击穿
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